Кремний нитриді субстраты мен субстраттың қандай айырмашылықтары бар?

арасындағы негізгі айырмашылықтаркремний нитриді субстратжәне субстрат - олардың анықтамалары, қолданылуы және сипаттамалары. .

1. Анықтамасы және қолданылуы

Кремний нитриді субстраты:Кремний нитриді субстратнегізінен қуатты жартылай өткізгіш құрылғыларды, әсіресе қуат модульдерін өндіруде қолданылатын керамикалық материал болып табылады. Ол жоғары жылу өткізгіштікке, жоғары механикалық беріктікке және жақсы термиялық сәйкестікке ие және жоғары сенімділік пен жоғары температураға төзімділікті қажет ететін қолдану сценарийлері үшін жарамды. ‌Субстрат‌: Субстрат әдетте чипті өндіру үшін пайдаланылатын негізгі тірек құрылымын білдіреді. Жалпы субстрат материалдарына монокристалды кремний пластиналары, SOI субстраттары, SiGe субстраттары және т.б. жатады. Субстрат таңдау интегралдық схемалар, микропроцессорлар, жад және т.б. сияқты арнайы қолданбалы талаптарға байланысты. ‌

2. Сипаттамаларды салыстыру ‌

Кремний нитриді субстрат‌ ‌

Жоғары жылу өткізгіштік‌: кремний нитридінің жылу өткізгіштігі 80 Вт/м·К немесе одан да жоғары, бұл қуатты құрылғылардың жылуды тарату қажеттіліктеріне жарамды. Жоғары механикалық беріктік‌: оның жоғары сенімділігін қамтамасыз ететін жоғары иілу беріктігі мен сынуға төзімділігі жоғары. ‌ ‌ Термиялық кеңею коэффициенті сәйкестігі: Ол SiC кристалды субстратқа өте ұқсас, екеуінің арасындағы тұрақты сәйкестікті қамтамасыз етеді және жалпы сенімділікті арттырады.

Субстрат 

Түрлі түрлер: Бір кристалды кремний пластиналары, SOI субстраттары, SiGe субстраттары және т.б. қоса, әрбір субстрат материалының өзіндік қолдану өрісі мен өнімділік артықшылықтары бар.

‌Қолданулардың кең ауқымы: интегралды схемалар, микропроцессорлар, жад және т.б. сияқты микросхемалар мен құрылғылардың әртүрлі түрлерін өндіру үшін қолданылады.

3. Қолдану сценарийлері

‌Кремний нитриді субстраты: негізінен жаңа энергетикалық көліктер мен заманауи көлік жолдары сияқты салаларда жоғары қуатты құрылғылар үшін қолданылады. Тамаша жылуды тарату өнімділігінің, механикалық беріктігі мен тұрақтылығының арқасында ол күрделі орталарда жоғары сенімділік талаптарына сай келеді.

‌Субстрат ‌: әртүрлі чип өндірісінде кеңінен қолданылады және нақты қолдану субстрат түріне байланысты. Мысалы, монокристалды кремний пластиналары интегралдық схемалар мен микропроцессорлар өндірісінде кеңінен қолданылады, SOI астарлары өнімділігі жоғары, аз қуатты интегралды схемалар үшін қолайлы, ал SiGe астарлары гетеройыспалы биполярлы транзисторлар мен аралас сигнал схемалары үшін қолданылады және т.б. ‌.